Samsung создал память по 40-нанометровому техпроцессу

Компания Samsung анонсировала чипы DRAM-памяти формата DDR2, выполненные с соблюдением 40-нанометрового техпроцесса, сообщает Computerworld. Они потребляют на 30 процентов меньше энергии, чем память, выпускаемая по 50-нанометровой технологии.

Микросхема памяти DDR2 емкостью один гигабит и гигабайтный модуль памяти DDR2, созданный на основе этих микросхем, прошли сертификацию для работы с чипсетом Intel GM45 Express. Основная область применения новых модулей памяти - ноутбуки.

Представители Samsung рассчитывают, что переход на 40-нанометровый техпроцесс позволит вдвое сократить период, который проходит с момента изготовления изделия до его выхода на рынок. В настоящее время он составляет два года.

Напомним, что неделю назад компания Samsung представила четырехгигабитные микросхемы памяти DDR3, созданные с соблюдением 50-нанометрового техпроцесса. До конца текущего года Samsung планирует начать выпуск микросхем памяти DDR3 объемом два гигабита по 40-нанометровой технологии.

В гигабитах (Gb) традиционно измеряется емкость микросхем, из которых состоит модуль памяти. Объем последнего измеряется в гигабайтах (GB). Один гигабайт соответствует восьми гигабитам.